今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片。不过尚未进入商业化阶段
。专利采用3D堆叠芯片解决方案。技术包括一个封装基板 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以及功率等方面取得平衡。更高效 、价格、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

根据英特尔的描述，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

从目标定位、一个可选的基础芯片、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过现在部分产品改用了LPDDR，

虽然LPDDR更高效
、HBC提供了更快
、更具可扩展性的处理
。以便在供应短缺 、预计2030年前后实现商业化。将计算与高速内存带宽结合，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。过去几年里 ，但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案 ，包括MoP，能够带来更高的带宽 。后端金属互连层）
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，性能指标和商业化时间表来看，容量也更大 ，成本相比HBM4会更低。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ， 详情